[发明专利]一种红外焦平面探测器的铟柱及其制备方法有效
申请号: | 202010329369.2 | 申请日: | 2020-04-23 |
公开(公告)号: | CN111584672B | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 齐志强;潘德彬;孙昊骋;胡文良 | 申请(专利权)人: | 华中光电技术研究所(中国船舶重工集团公司第七一七研究所) |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/101;H01L31/0203;H01L23/498 |
代理公司: | 武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) 42242 | 代理人: | 谢洋 |
地址: | 430000 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明涉及一种红外焦平面探测器的铟柱的制备方法及用该方法制备的铟柱,本发明方法首先在芯片表面旋涂薄光刻胶,对准像元或读出单元电极中心开展一次套刻,制备圆形打底金属沉积孔,通过电子束蒸发蒸镀复合金属膜,采用湿法剥离方式获得打底金属图形阵列;然后,旋涂中等厚度光刻胶,对准打底金属图形中心开展二次套刻,制备方形铟柱沉积孔,再通过真空热蒸发沉积铟膜,采用湿法剥离工艺获得铟柱;最后采用回流炉在甲酸氛围下缩球,获得大高宽比铟柱阵列。本发明整体工艺难度比现有方式低,制备出的铟柱尺寸能够满足要求,而且尺寸均匀性较高,铟柱表面均匀且光滑,完全能够满足倒装互连工艺一致性要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 红外 平面 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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