[发明专利]半导体存储器高低温老化测试设备有效
| 申请号： | 202010329467.6 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN111551839B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 陈凯;彭骞 | 申请（专利权）人： | 武汉精测电子集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R1/04;G01R1/02 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 黄行军 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储器高低温老化测试设备，包括第一温度区、第二温度区以及设置在第一温度区和第二温度区之间的隔离区；第一温度区内设置有用于进行半导体存储器高低温老化测试的老化测试板卡，隔离区内放置有直通板，第二温度区设置有站点板，老化测试板卡、直通板、站点板依次电连接；隔离区靠近第一温度区一侧设有第一刚性支撑板，靠近第二温度区一侧设有第二刚性支撑板，第一刚性支撑板与第二刚性支撑板之间设有包裹在直通板外的隔热填料层。本发明的半导体存储器高低温老化测试设备中，刚性支撑板可激光切割成形，刚性支撑板之间存在隔热填料层，从而在保证隔热效果的同时，还具有易于加工的特点，能显著降低整体加工成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 低温 老化 测试 设备 | ||
【主权项】：
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