[发明专利]具有多晶硅栅极的鳍式场效应晶体管开启电压的调整方法在审
| 申请号： | 202010330801.X | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN113555434A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 赵立新;黄琨 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有多晶硅栅极的鳍式场效应晶体管开启电压的调整方法，通过改变所述鳍式场效应晶体管的半导体鳍结构的沟道宽度，调节优化所述鳍式场效应晶体管的开启电压，实现了晶体管开启电压连续可调，解决了晶体管开启电压过低会带来源漏穿通问题，避免了过高的沟道掺杂浓度造成器件沟道迁移率的下降，因此可以保持更高的运行速度，不需要修改制备工艺步骤，只需要在设计版图上根据需要改变对应晶体管的沟道宽度，简化了具有多种开启电压的晶体管阵列的工艺流程，提高了工艺兼容性，降低了制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多晶 栅极 场效应 晶体管 开启 电压 调整 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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