[发明专利]一种非掺B晶体硅太阳电池的制备方法在审
| 申请号： | 202010331646.3 | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN111416005A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 陈红;冯志强 | 申请（专利权）人： | 天合光能股份有限公司;天合光能（常州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/028 | 分类号： | H01L31/028;H01L31/18 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 郭小丽 |
| 地址： | 213031 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种非掺B晶体硅太阳电池的制备方法，属于光伏技术领域。它包括以下步骤：A、制作电池，将硅片清洗、激光掺杂、沉积钝化层、激光开槽、丝网印刷电极后烧结成电池；B、采用抗衰减处理，使步骤A得到的电池的硅片中的杂质和晶界缺陷得到钝化，复合减少。本发明通过对电池片做特殊处理降低其衰减现象，工艺相对简单，适合应用于规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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