[发明专利]一种铌掺杂二氧化钛纳米材料的制备方法及其应用在审
申请号: | 202010331788.X | 申请日: | 2020-04-24 |
公开(公告)号: | CN111509063A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 陈加藏;程昌 | 申请(专利权)人: | 中国科学院山西煤炭化学研究所 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0216;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 武汉宇晨专利事务所 42001 | 代理人: | 王敏锋 |
地址: | 030001 *** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本申请涉及新能源领域,尤其涉及钙钛矿电池(PSCs)中一种铌掺杂纳米二氧化钛的制备和应用。铌掺杂纳米二氧化钛材料的具体制备方法如下:首先,将一定量的五水合五氯化铌、钛酸四异丙酯和冰醋酸置于聚四氟乙烯反应釜,220℃,12h后过滤洗涤干燥得到未烧结的铌掺杂二氧化钛;接着,将其先与松油醇一起球磨,后加入乙基纤维素热搅拌,再用无水乙醇稀释得到介孔层二氧化钛前驱体溶液;最后,将其旋涂均布在致密层二氧化钛之上,并于空气中煅烧若干小时得到内部富集铌的二氧化钛材料组成的介孔层。以该材料为介孔层所制备的介观型PSCs与未掺杂铌的普通二氧化钛相比,介观型PSCs光电转化效率提升的同时,显著改善了介观型PSCs的热稳定性和紫外稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 掺杂 氧化 纳米 材料 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的