[发明专利]纳米晶的制备方法有效
| 申请号： | 202010332062.8 | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN113549460B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 周健海 | 申请（专利权）人： | 纳晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/02;B82Y30/00;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310052 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纳米晶的制备方法，包括以下步骤：S1，准备含掺杂金属前体的溶液；S2，将含第一VI族元素前体的分散系与掺杂金属前体的溶液混合并反应第一时间，形成包含掺杂金属‑VI粒子的第一产物体系，其中，第一VI族元素前体的物质的量大于掺杂金属前体的物质的量，含第一VI族元素前体的分散系包括非配位溶剂，第一时间小于1分钟；S3，将三烷基膦与第一产物体系混合并反应一定时间，形成第二产物体系；S4，将第二产物体系与第一II族元素前体混合反应一定时间，形成含掺杂金属的II‑VI族元素纳米晶的第三产物体系，其中，第一II族元素前体与第一VI族元素前体的物质的量比例为1：1～5：1。本发明得到的含掺杂金属的II‑VI族元素纳米晶半峰宽窄、荧光效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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