[发明专利]存储器结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202010332492.X | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN113555363A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 李书铭;欧阳自明;杨崇铭 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242;H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱颖;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储器结构及其制造方法。存储器结构包括基底、位线结构、接触窗结构与电容器结构。位线结构位于基底上。接触窗结构位于位线结构一侧的基底上。电容器结构位于接触窗结构上。电容器结构包括第一电极、第二电极与绝缘层。第一电极包括第一底面与第二底面。第一底面低于第二底面。第一底面仅位于部分接触窗结构上。第二电极位于第一电极上。绝缘层位于第一电极与第二电极之间。上述存储器结构可有效地提高重叠裕度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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