[发明专利]一种新型双通路小型化半导体浪涌防护器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010332990.4 | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN111370380A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 张英鹏;苏海伟;魏峰;单少杰;范炜盛;王帅;赵鹏;范婷;郑彩霞 | 申请（专利权）人： | 上海维安半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/49;H01L23/495;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201202 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种新型双通路小型化半导体浪涌防护器件及其制造方法，新型双通路小型化浪涌防护器件，包括半导体芯片、金属电极和包覆器件的塑封体，其中，在半导体芯片正面有半导体芯片金属焊接区PAD一、二，下方有铜框架基岛；二金属铜电极一、二分别连接在金属焊接区PAD一、二上；在二金属铜电极一、二和铜框架基岛底面分别引出金属引脚。本发明还提供了该器件的制造方法。本发明不但小型化，而且可以单颗器件在应用电路中实现共模和差模防护。具有小型化、生产工艺稳定、高可靠性、生产效率高、美观等优点来满足未来的器件小型化的发展趋势。产品外形及引脚尺寸可根据实际应用电路中PCB版的要求进行调整，更加灵活，适用性更广阔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 通路 小型化 半导体 浪涌 防护 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海维安半导体有限公司，未经上海维安半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010332990.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：全预制混合承重房屋及施工方法
- 下一篇：一种激光散射检测颗粒物的气幕保护装置
