[发明专利]基于HSQ的电子束光刻制备套刻标记的方法有效
| 申请号： | 202010333134.0 | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN111564363B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 曲迪;王文龙;王磊;白国人;陈帅;隋春雨 | 申请（专利权）人： | 天津华慧芯科技集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L23/544;G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 蒙建军 |
| 地址： | 300467 天津市滨海新区生态城*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于HSQ的电子束光刻制备套刻标记的方法，属于光电子技术领域，其特征在于，至少包括如下步骤：S1、对晶圆进行脱水烘焙；S2、在晶圆上旋涂HSQ光刻胶后进行前烘；S3、电子束曝光；利用HSQ为负性光刻胶的特性，绘制mark曝光版图，用较少的时间曝光，完成对绘制版图的直写后显影；S4、高温坚膜烘焙；S5、根据需求旋涂后续工艺所需的光刻胶，将后续工艺版图按照步骤S3mark曝光版图建立的坐标系进行版图套刻；对顶层光刻胶进行显影；进行后续蒸镀或刻蚀工艺，并去除顶层光刻胶；S6、使用HF加去离子水或氨水：过氧化氢：去离子水溶液去除HSQ mark。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 hsq 电子束光刻 制备 标记 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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