[发明专利]一种刻蚀GaN基高电子迁移率晶体管异质结的方法在审
| 申请号： | 202010333514.4 | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN113555283A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 谷志强;吴志浩;车东晨;冯英雄;韩大健;蒋中原;吴愧;许开东;胡冬冬 | 申请（专利权）人： | 江苏鲁汶仪器有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 唐循文 |
| 地址： | 221300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种刻蚀GaN基高电子迁移率晶体管异质结的方法，属于半导体加工技术领域。所述GaN基高电子迁移率晶体管异质结包括从上到下依次排列的掩膜材料层、pGaN层、AlGaN层、GaN层和底层材料层，所述方法包括以下步骤：将已经打开掩膜材料层的待刻蚀样品经传送装置传送至反应离子刻蚀机的刻蚀腔，通入第一组刻蚀气体先快速刻蚀大部分pGaN层材料。待第一组刻蚀气体刻蚀结束后，向反应离子刻蚀机的刻蚀腔中通入第二组刻蚀气体慢速刻蚀余下部分pGaN层材料，刻蚀结束后取出样品。本发明所述方法能够选择性刻蚀pGaN并停止在AlGaN层，该刻蚀工艺对AlGaN层的刻蚀量小于2 nm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 gan 电子 迁移率 晶体管 异质结 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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