[发明专利]多晶圆堆叠修边方法有效
| 申请号： | 202010333740.2 | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN111430276B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 叶国梁;刘天建 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/60;H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种多晶圆堆叠修边方法，对第i片晶圆切边、与第i‑1片晶圆键合减薄后，对堆叠的i片晶圆的边缘区域修边形成边缘良好的晶圆堆叠；之后填充底部填充层；底部填充层的存在使邻近的后续晶圆与堆叠的i片晶圆键合减薄后边缘产生的缺陷往外移，使邻近的后续晶圆的修边宽度设置较小，并为邻近的后续晶圆键合减薄时提供支撑，不至于减薄时劈裂；故对邻近第i片晶圆的后续晶圆的修边宽度不大于背面减薄后的第2片晶圆的边缘修边宽度,可去除邻近第i片晶圆的后续晶圆与堆叠的i片晶圆键合减薄后边缘产生的缺陷。W |
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| 搜索关键词： | 多晶 堆叠 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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