[发明专利]一种提高引下管在单晶生长炉中装配精度的装置及方法有效
申请号: | 202010333801.5 | 申请日: | 2020-04-24 |
公开(公告)号: | CN111379012B | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 郭海生;宋克鑫;王富贵;徐卓;李飞;栾鹏;庄永勇 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | C30B11/00 | 分类号: | C30B11/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 朱海临 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种提高引下管在单晶生长炉中装配精度的装置及方法,包括装配平台,装配平台的一侧设置有垂直支撑杆,垂直支撑杆上活动连接有水平支撑杆,水平支撑杆的端部通过引下管导向管夹连接有引下管导向管,所述引下管导向管上部设置单晶生长炉,还包括升降平台以及用于驱动升降平台的升降电机,升降平台位于引下管导向管的下侧,升降平台上通过引下管支座活动连接有预装铂金坩埚的引下管。本发明可以有效避免因引下管装炉误差所导致所生长的晶体取向偏差大的问题,从而可以提高晶体生长质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 引下管 生长 装配 精度 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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