[发明专利]一种二氧化硅薄膜的蚀刻液有效
| 申请号： | 202010334995.0 | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN111471463B | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 张庭;贺兆波;郝晓斌;王书萍;万杨阳;李鑫;景继磊 | 申请（专利权）人： | 湖北兴福电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/08 | 分类号： | C09K13/08;H01L21/311 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443007 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二氧化硅薄膜的蚀刻液，主要成分包括氢氟酸、氟化铵、添加剂、表面活性剂以及超纯水。本发明的蚀刻液中氢氟酸用于蚀刻二氧化硅薄膜；氟化铵用于提供氟离子稳定蚀刻液的蚀刻速率；添加剂用于降低蚀刻液的表面张力，改善蚀刻后的表面形貌，使晶圆表面蚀刻后更平整均一；表面活性剂用于提高添加剂在蚀刻液中的分散能力，使蚀刻液呈均匀状态。本发明所述的蚀刻液可用于蚀刻热氧化生长的二氧化硅薄膜、化学气相沉积/物理气相沉积生长的二氧化硅薄膜以及硼磷硅玻璃薄膜，通过调控蚀刻液中各组分的含量，可以满足不同制程的二氧化硅薄膜的蚀刻指标要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二氧化硅 薄膜 蚀刻 | ||
【主权项】：
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