[发明专利]最小死区三维沟槽电极硅探测器

摘要

本发明公开了一种最小死区三维沟槽电极硅探测器，其探测单元包括长方体状的探测基体，探测基体横截面的中间、侧边中间和四角均设有柱状电极，探测基体从上到下刻蚀有井字形电极，探测基体从下到上刻蚀有多边形电极，井字形电极的底部与多边形电极的顶部抵靠，柱状电极顶部和井字形电极顶部均附着有铝电极层，铝电极层间的探测基体上附着有二氧化硅绝缘层，柱状电极底部、探测基体底部和多边形电极底部均附着有二氧化硅保护层；本发明内部死区面积较小，对电荷的收集效率较高，探测单元彼此之间不会相互干扰，独立性较好。