[发明专利]用于在EEPROM存储器中写入的方法及对应的集成电路在审
| 申请号： | 202010335378.2 | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN111863078A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | F·塔耶;M·巴蒂斯塔 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/14;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及用于在EEPROM存储器中写入的方法及对应的集成电路。公开了用于对非易失性存储器(NVM)进行编程的方法和集成电路。在一个实施例中，集成电路包括：被组织成存储器字的行和列的存储器平面，每个存储器字包括存储器单元，并且每个存储器单元包括具有控制栅极和浮置栅极的状态晶体管；以及写入电路装置，该写入电路装置被配置为在编程阶段通过向不属于所选择的存储器字的存储器单元的状态晶体管的控制栅极施加第一非零正电压来对所选择的存储器字进行编程。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 eeprom 存储器 写入 方法 对应 集成电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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