[发明专利]一种通过高温湿氧氧化法改善硅片可回收性的工艺方法在审
| 申请号： | 202010336959.8 | 申请日： | 2020-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN111524790A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 陈军军;郑凯仁;朱华君;刘厥扬;胡展源 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过高温湿氧氧化法改善硅片可回收性的工艺方法，提供待回收的硅片，硅片上存在SiCN膜层；将硅片置于高温湿氧环境中进行热氧化处理，直至SiCN膜层被完全氧化为SiOCN为止；利用酸洗的湿法刻蚀工艺将硅片上的SiOCN去除。本发明采用的工艺方法在高温湿氧的环境下对待回收的硅片进行热氧化处理，使SiCN等膜层被完全氧化为SiOCN，之后利用酸洗的湿法刻蚀工艺将SiOCN完全去除，最终实现含SiCN等膜层的硅片的高效率回收，增加硅片的回收再用次数，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 温湿 氧化 改善 硅片 可回收 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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