[发明专利]磁隧道结参考层、磁隧道结以及磁随机存储器在审
| 申请号： | 202010337131.4 | 申请日： | 2020-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN111640858A | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 赵巍胜;程厚义;曹凯华;王戈飞 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 赵平;周永君 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁隧道结参考层、磁隧道结以及磁随机存储器，该磁隧道结参考层包括：反铁磁结构层，包括多个堆叠的金属磁性层单元，每个金属磁性层单元包括一间隔层和位于所述间隔层一侧表面上的一磁性层，本发明通过金属的间隔层与磁性层多层堆叠形成合成反铁磁结构来增加垂直磁隧道结参考层的热稳定性，而能够降低膜层的设计复杂性、降低成本，在不需要氧化物的情况下形成了具有强垂直磁各向异性、高热稳定性、膜层简单、成本较低的多层膜结构，能够促进磁存储器的大规模使用。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 参考 以及 随机 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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