[发明专利]三维半导体存储器装置在审
| 申请号： | 202010337804.6 | 申请日： | 2020-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN112234064A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 金俊亨;林根元;金万中 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11517 | 分类号： | H01L27/11517;H01L27/11521;H01L27/11551;H01L27/11563;H01L27/11568;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张逍遥;薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：基底，包括第一方向上的第一连接区和第二连接区以及位于第一连接区与第二连接区之间的单元阵列区；以及第一块结构，位于基底上。第一块结构在单元阵列区上具有第一宽度，第一块结构在第一连接区上具有第二宽度，并且第一块结构在第二连接区上具有第三宽度。第一宽度、第二宽度和第三宽度平行于与第一方向交叉的第二方向，并且第一宽度小于第二宽度且大于第三宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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