[发明专利]氧化铪薄膜沉积方法在审
申请号: | 202010338240.8 | 申请日: | 2020-04-26 |
公开(公告)号: | CN111411324A | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 胡烁鹏;宋海洋;高晓丽;刘菲菲 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/02;C23C14/58 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种氧化铪薄膜沉积方法,包括:加热步骤,对晶片进行加热,以去除晶片表面上的杂质;磁控溅射步骤,采用脉冲直流电源并以磁控溅射方法在晶片上沉积形成氧化铪薄膜;冷却步骤,对沉积有氧化铪薄膜的晶片进行冷却。应用本发明,采用脉冲直流电源以磁控溅射方法沉积氧化铪薄膜,且在磁控溅射前对晶片进行加热,在磁控溅射后对氧化铪薄膜进行冷却处理,使得氧气分子和铪原子或铪离子能够充分反应,且没有引入杂质,保证了氧化铪薄膜的纯度,使得氧化铪薄膜的致密性、均匀性更好、粗糙度更低,从而可以在较低成本、较快地沉积速率下得到电学、光学性能较好的高质量氧化铪薄膜,有利于氧化铪薄膜的大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 氧化 薄膜 沉积 方法 | ||
【主权项】:
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