[发明专利]氧化铪薄膜沉积方法在审

专利信息
申请号: 202010338240.8 申请日: 2020-04-26
公开(公告)号: CN111411324A 公开(公告)日: 2020-07-14
发明(设计)人: 胡烁鹏;宋海洋;高晓丽;刘菲菲 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: C23C14/08 分类号: C23C14/08;C23C14/35;C23C14/02;C23C14/58
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;王婷
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种氧化铪薄膜沉积方法,包括:加热步骤,对晶片进行加热,以去除晶片表面上的杂质;磁控溅射步骤,采用脉冲直流电源并以磁控溅射方法在晶片上沉积形成氧化铪薄膜;冷却步骤,对沉积有氧化铪薄膜的晶片进行冷却。应用本发明,采用脉冲直流电源以磁控溅射方法沉积氧化铪薄膜,且在磁控溅射前对晶片进行加热,在磁控溅射后对氧化铪薄膜进行冷却处理,使得氧气分子和铪原子或铪离子能够充分反应,且没有引入杂质,保证了氧化铪薄膜的纯度,使得氧化铪薄膜的致密性、均匀性更好、粗糙度更低,从而可以在较低成本、较快地沉积速率下得到电学、光学性能较好的高质量氧化铪薄膜,有利于氧化铪薄膜的大规模生产。
搜索关键词: 氧化 薄膜 沉积 方法
【主权项】:
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