[发明专利]一种具有多级相变效应的单层锌-锡-锑薄膜及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202010338931.8 申请日: 2020-04-26
公开(公告)号: CN111640861B 公开(公告)日: 2023-02-03
发明(设计)人: 刘瑞蕊;周啸;周海涛 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: H10N70/20 分类号: H10N70/20;C23C14/14;C23C14/18
代理公司: 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 代理人: 袁靖
地址: 410083 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明涉及一种具有多级相变效应的单层锌‑锡‑锑薄膜及其制备方法和应用,该薄膜由Zn和SnSb4两靶材,以SiO2/Si(100)为衬底,在氩气环境下共溅射制得,通过控制Zn和SnSb4靶材的溅射时间来调控Zn‑Sn‑Sn薄膜中掺Zn的含量,并且设定Zn的含量在40%‑50%之间,控制薄膜的总厚度为40nm‑60nm。与现有相变存储材料相比,单层锌‑锡‑锑新型相变存储材料PCRAM器件操作可以实现两次晶化(SET)过程,提升了薄膜单位面积的存储密度。
搜索关键词: 一种 具有 多级 相变 效应 单层 薄膜 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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