[发明专利]一种确定MOS管源漏饱和电压的电路及其操作方法有效
| 申请号： | 202010340052.9 | 申请日： | 2020-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN111367352B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 张俊安;李彦;刘钦晓 | 申请（专利权）人： | 重庆理工大学 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 11531 | 代理人： | 张丽 |
| 地址： | 400054 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种确定MOS管源漏饱和电压的电路及其操作方法，所述电路包括4个NMOS管、2个运算放大器、2个电流镜、1个电流减法运算单元、1个电压减法运算单元、1个电流‑电压除法运算单元、1个跨导‑电压转换单元、1个二选一开关、1个电压保持器、1个比较器和1个逐次逼近单元；所述4个NMOS管包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，所述2个运算放大器包括第一运算放大器和第二运算放大器，所述2个电流镜包括第一电流镜和第二电流镜。本发明还公开一种确定MOS管源漏饱和电压的操作方法。本发明的技术方案既保证MOS管处于饱和状态又不会浪费电源电压余量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 确定 mos 管源漏 饱和 电压 电路 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
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