[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202010340408.9 | 申请日： | 2020-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN111477687A | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 陈晓威 | 申请（专利权）人： | 昆山龙腾光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 蔡光仟 |
| 地址： | 215301 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法，通过半色调掩膜在金属氧化物有源层上预留了源极和/或漏极的桥接处，并对桥接处的金属氧化物有源层进行电浆处理，使之形成导体区域，部分导体区域在衬底的正对方向上与栅极有重叠区域，源极和/或漏极与导体区域导电接触，使得TFT能够导通，由此减小了源极或漏极在衬底的正对方向上与栅极的重叠面积，进而减少了产生的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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