[发明专利]具有硅顶栅薄膜晶体管和半导体氧化物顶栅薄膜晶体管的显示器有效
申请号: | 202010341664.X | 申请日: | 2018-03-14 |
公开(公告)号: | CN111508975B | 公开(公告)日: | 2023-07-11 |
发明(设计)人: | 小野晋也;林敬伟;庄景桑;张钧杰;尾本启介;林上智;常鼎国;石井孝英 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/123;H10K59/121 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 边海梅 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本文涉及具有硅顶栅薄膜晶体管和半导体氧化物顶栅薄膜晶体管的显示器。更具体而言,公开了一种电子设备,该电子设备可包括具有处于基板上的显示器像素阵列的显示器。该显示器像素可为有机发光二极管显示器像素,其包括使用半导体氧化物薄膜晶体管、硅薄膜晶体管和电容器结构形成的混合薄膜晶体管结构。该显示器像素中的驱动晶体管可为顶栅半导体氧化物薄膜晶体管,并且显示器像素中的开关晶体管可为顶栅硅薄膜晶体管。显示器中的存储电容器可以包括导电半导体氧化物电极。 | ||
搜索关键词: | 具有 硅顶栅 薄膜晶体管 半导体 氧化物 显示器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的