[发明专利]集成采样功能的超高压LDMOS复合管及工艺方法有效
| 申请号： | 202010342044.8 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111370492B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 苗彬彬 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成采样功能的超高压LDMOS复合管，可以对超高压LDMOS管进行电流采样。在超高压LDMOS管后级串联一个作为采样管的低压CMOS管，并通过版图设计把低压CMOS集成在超高压LDMOS管内，超高压晶体管的源端同时是采样管CMOS管的漏端，超高压LDMOS管的栅极与低压CMOS管的栅极各自独立控制，且平行等间距、各自首尾相接呈闭环结构，这样的结构形式可以最大限度保证超高压LDMOS晶体管版图形式紧凑及场板性能，由于低压CMOS管和超高压LDMOS管栅极平行布局且间距很近，使得两者的沟道长度差异随工艺波动很小，所以采样时匹配性很高，采样比精度高，保证超高耐压能力，同时保证了采样管和被采样管在沟道总宽度上的一致性，提高采样精度与匹配度。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 采样 功能 超高压 ldmos 复合管 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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