[发明专利]自对准接触孔屏蔽栅功率MOSFET器件的制造方法及形成的器件有效
| 申请号： | 202010342072.X | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111403292B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 颜树范 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及自对准接触孔屏蔽栅功率MOSFET器件的制造方法，在衬底表面形成阱区，并在衬底中形成沟槽，在沟槽底部和侧面形成屏蔽栅介质层，第一多晶硅填充屏蔽栅介质层间的间隙，形成覆盖在第一多晶硅和屏蔽栅介质层上方的第三介质层，在沟槽中裸露的硅表面形成第二栅介质层，形成填充沟槽中间隙的第二多晶硅，第一介质层水平方向回刻注入以形成源区，形成第四介质层，形成底部暴露出第二多晶硅的第一接触孔，底部暴露出位于沟槽一侧的第一介质层的第二接触孔，去除暴露出的第一介质层，在第二接触孔的底部形成接触区，进行第四介质层水平方向回刻，形成扩大的第一接触孔和扩大的第二接触孔，形成金属接触而形成源极和栅极，使器件可靠性高、尺寸小。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 接触 屏蔽 功率 mosfet 器件 制造 方法 形成 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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