[发明专利]一种时序产生电路在审
| 申请号： | 202010342091.2 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111490756A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 刘芳芳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/353 | 分类号： | H03K3/353 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种时序产生电路中第三、第四PMOS、第三、第四NMOS及电阻构成偏置电流电路；第二、第三PMOS源极、第四、第一PMOS漏极及第六PMOS漏极接电源电压；第二PMOS栅极、第七PMOS漏极、第一NMOS源极及第一PMOS栅极互连；第一PMOS源极与第七PMOS源极互连；第一NMOS漏极、第二NMOS源极、第三NMOS漏极、第五NMOS源极接地；第二PMOS漏极与第二NMOS漏极和栅极、第一NMOS栅极互连；第六PMOS、第五PMOS、第五NMOS依次串联，第五PMOS栅极与第四NMOS漏极连接；第一电容接在第五、第六PMOS两端；第二电容接在第五NMOS两端，第一、第二电容连接点为电路输出端。本发明的时序产生电路在低电压下较传统的时序产生电路，其时序收敛5％至10％，能有效达到提升电路的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 时序 产生 电路 | ||
【主权项】：
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