[发明专利]残留气体去除设备和方法在审
| 申请号： | 202010342136.6 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111524832A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 阚保国;阚杰;曹春生;冯大贵;吴长明 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种残留气体去除设备和方法，包括：壳体，为立方体，六个面中具有开口面；至少两个腔室，设置于壳体中，用于放置晶圆，至少两个腔室中设置有进气口和排气口，当设备工作时，从进气口通入气体，气体从出气口排出以去除放置于腔室中的晶圆上的残留气体；门板，设置于开口面。本申请通过在残留气体去除设备的腔室中设置进气口和排气口，当设备工作时，从进气口通入气体，气体从出气口排出以去除放置于腔室中的晶圆上的残留气体，由于通过气体去除残留气体的效率高于静置去除，因此能够降低去除残留气体的时间，提高了器件的制造效率，同时也提高了对晶圆的残留气体的去除效果，在一定程度上降低了晶圆的颗粒缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 残留 气体 去除 设备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体（无锡）有限公司，未经华虹半导体（无锡）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010342136.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
