[发明专利]应用于后道工序中的刻蚀方法有效
| 申请号： | 202010342342.7 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111524854B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 马莉娜;丁奥博;孟艳秋 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种应用于后道工序中的刻蚀方法，包括：通过光刻工艺在第二硬掩模层的目标区域覆盖光阻，第二硬掩模层形成于第一硬掩模层上，第一硬掩模层形成于第二介质层上，第二介质层形成于第一介质层上，第一介质层形成于层间介质和形成于层间介质中的金属通孔上，目标区域是第二硬掩模层上除金属通孔上方的区域以外的其它区域；通过刻蚀去除金属通孔上方的第二硬掩模层、第一硬掩模层和第一预定深度的第二介质层；对光阻进行碳化处理；刻蚀去除第二预定深度的第二介质层。本申请通过对光阻进行碳化处理，然后刻蚀去除第二预定深度的第二介质层，由于对光阻进行碳化处理后能够使光阻的表面坚固，在刻蚀过程中表面坚固的光阻能够保持较好的形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 工序 中的 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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