[发明专利]磁阻随机存取存储装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010344734.7 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN112186100A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 权倍成 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王占杰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种磁阻随机存取存储(MRAM)装置及其制造方法，所述装置包括：衬底；存储单元，所述存储单元包括顺序堆叠在所述衬底上的下电极、磁隧道结(MTJ)结构和上电极；钝化图案，所述钝化图案位于所述存储单元的侧壁上；通路，所述通路位于所述存储单元上并与所述上电极接触；和布线，所述布线位于所述通路上并与所述通路接触，其中，所述上电极的中央部分在基本垂直于所述衬底的上表面的垂直方向上从所述上电极的其余部分突出。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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