[发明专利]一种功率半导体器件低热阻封装结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202010345993.1 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111463184A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 马明驼;管安琪;鲜明 | 申请（专利权）人： | 上海共晶电子科技有限公司;芜湖鼎联电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/492;H01L23/29;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 申丹宁 |
| 地址： | 201506 上海市金山*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种功率半导体器件低热阻封装结构及其制作方法，该封装结构包括在压接塑封体中依次设置的电极互联片、功率芯片和引线框架，所述电极互联片与功率芯片之间的电极压接区域设有压接缓冲层，所述电极互联片与引线框架之间通过引脚焊接层连接，所述引线框架的芯片固晶区周边设有若干塑封体锚固孔。与现有技术相比，本发明实现芯片与电极互联片和引线框架间可靠的电热应力压接，压接塑封体与引线框架间形成温度补偿型贯通式刚性连接，构成芯片的双面散热通道，使器件获得在极端工作条件下更加优良的电热特性和宽泛的安全工作区域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 低热 封装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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