[发明专利]一种半浮栅存储器及其制备方法

摘要

本发明公开一种半浮栅存储器及其制备方法。该半浮栅存储器包括：半导体衬底，其具有第一掺杂类型；半浮栅阱区，其具有第二掺杂类型，位于半导体衬底的上层区域；U型槽，贯穿半浮栅阱区，其底部处于半浮栅阱区的下边界；第一栅介质层覆盖U型槽的表面；浮栅覆盖第一栅介质层，并形成中间高、两边低的凸起形状；隧穿晶体管沟道层覆盖浮栅的中间凸起上表面；第二栅介质层形成在隧穿晶体管沟道层两侧并延伸覆盖浮栅表面，控制栅覆盖第二栅介质层和隧穿晶体管沟道层上表面；栅极侧墙，位于第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧；源极和漏极，形成于半浮栅阱区中，位于第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧。