[发明专利]一种高隧穿效率半浮栅存储器及其制备方法

摘要

本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种高隧穿效率半浮栅存储器及其制备方法。本发明的半浮栅存储器包括：半导体衬底；半浮栅阱区，位于所述半导体衬底的上层区域；U型槽，贯穿所述半浮栅阱区；第一栅极叠层，包括第一栅介质层和浮栅；第二栅极叠层，包括第二栅介质层和控制栅；栅极侧墙；源区和漏区，位于所述第一栅极叠层和所述第二栅极叠层两侧；通过在整个器件表面淀积高应力的覆盖层Si3N4，并高温热退火，在隧穿晶体管的沟道中产生单轴张应力，减小沿沟道方向的电子电导有效质量和散射概率，即增大隧穿效率，从而极大增加隧穿晶体管的驱动电流，并进一步提高存储器擦写速度。