[发明专利]等离子体设备和半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 202010346766.0 | 申请日： | 2020-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN111524784B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 阚保国;阚杰;曹春生;冯大贵;吴长明 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种等离子体设备和半导体器件的制备方法，该设备包括：静电卡盘，包括卡盘底座和设置于卡盘底座上的卡盘；边缘环，包括环绕设置于静电卡盘周围的边缘环侧壁和设置于卡盘底座的凸出部位上的边缘环底座，边缘环侧壁设置于和边缘环底座上，边缘环底座上设置有开口导通边缘环底座。本申请通过在等离子体设备的边缘环底座上设置有开口导通边缘环，从而通过该等离子体设备对晶圆进行沉积工艺或刻蚀工艺时，由于存在开口导通边缘环，因此能够在晶圆的边缘形成一个气流流通的区域，将边缘的反映颗粒物排出，在一定程度上解决了晶圆的边缘反应物颗粒堆积的问题，提高了良率。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 设备 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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