[发明专利]具有沿沟槽的底部的含金属衬垫的集成组合件及形成集成组合件的方法

摘要

本申请涉及具有沿沟槽的底部的含金属衬垫的集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包括形成集成组合件的方法。传导结构被形成以在含金属材料上方包含含半导体材料。开口被形成以延伸到所述传导结构中。沿所述开口的底部形成传导材料。在形成所述传导材料之前或之后，在所述传导结构上方形成交替的第一和第二材料的层叠。形成绝缘材料和/或沟道材料以延伸穿过所述层叠以接触所述传导材料。一些实施例包含集成组合件。