[发明专利]缺陷图形特征参数的分析方法在审

专利信息
申请号: 202010350035.3 申请日: 2020-04-28
公开(公告)号: CN111507061A 公开(公告)日: 2020-08-07
发明(设计)人: 李萌;王英磊;曾鼎程;胡展源 申请(专利权)人: 上海华力集成电路制造有限公司
主分类号: G06F30/398 分类号: G06F30/398
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 郭四华
地址: 201315 上海市浦东新区中国(上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种缺陷图形特征参数的分析方法,包括步骤:步骤一、进行晶圆的缺陷测试并提取各缺陷的第一坐标;步骤二、将各第一坐标转换为对应的版图上的第二坐标;步骤三、在版图上添加缺陷标记层,缺陷标记层在各第二坐标处形成一个对应的缺陷标记图形;步骤四、标记出版图中被分析图层与缺陷标记图形所接触的版图图形并作为版图缺陷图形;步骤五、获取版图缺陷图形的特征参数。本发明能提高缺陷图形特征参数的提取效率,并能实现对缺陷图形特征参数进行全面和准确的分析。
搜索关键词: 缺陷 图形 特征 参数 分析 方法
【主权项】:
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