[发明专利]一种多晶硅片表面制绒的方法在审
| 申请号： | 202010350933.9 | 申请日： | 2020-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN111524985A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 赵雷;姚真真;王文静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘潇 |
| 地址： | 100190 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅片表面制绒的方法，属于多晶硅片制绒技术领域。本发明方法以多晶硅片为阳极，碱性溶液作为电解质溶液，对多晶硅片表面进行电化学腐蚀制绒。本发明通过对多晶硅片表面进行电化学腐蚀，能够在多晶硅片表面上制备出百纳米量级的均匀分布的多孔硅腐蚀绒面，大大降低多晶硅片表面的反射率。同时，本发明的方法操作简便、成本较低。实施例结果表明，本发明提供的多晶硅片表面制绒的方法所得多晶硅片在400nm至1100nm范围内相对于AM1.5G太阳光谱的加权平均表面反射率可以达到17.5～18.5％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅片 表面 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
