[发明专利]低成本高性能沟槽型功率半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010351900.6 | 申请日： | 2020-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN111509035B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 杨飞;白玉明;张广银;吴凯;朱阳军 | 申请（专利权）人： | 南京芯长征科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/331;H01L21/336;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 211100 江苏省南京市江宁区苏源*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种沟槽型功率半导体器件及其制备方法，尤其是一种低成本高性能沟槽型功率半导体器件及其制备方法，属于沟槽型功率半导体器件的技术领域。在衬底元胞第二沟槽与终端区间设置至少一个衬底第二导电类型注入区后，能防止耐压时在衬底元胞第二沟槽的槽底发生击穿，充分增加终端区的耐压，能降低衬底终端第二导电类型体区的结深要求，提高设计的自由度，使得功率半导体器件具有更高的击穿电压和可靠性，或者在相同的击穿电压下，可以进一步减少器件的面积，降低成本，同时提高功率半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 低成本 性能 沟槽 功率 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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