[发明专利]一种多晶硅表面织构化工艺

摘要

本发明涉及一种多晶硅表面织构化工艺，采用二次腐蚀法制备高质量的多晶硅绒面，包括以下步骤：电化学预腐蚀多晶硅，电化学腐蚀溶液为体积分数为40％的氢氟酸与体积分数为99.7％的无水乙醇的混合液，体积比为1:2；将多晶硅片置于腐蚀溶液中，对P型多晶硅片进行电化学预腐蚀；预腐蚀的多晶硅片用去离子水反复洗净，氮气吹干；电化学工作站采用三电极体系，硅片为工作电极，钽片为辅助电极，参比电极采用饱和甘汞电极，通过盐桥与工作电极连接；S3：采用化学腐蚀法对预腐蚀后的多晶硅片进行二次处理，得到高性能的多晶硅绒面；预腐蚀多晶硅片在HF和H2O2体积比为4:1的腐蚀溶液中进行二次处理，然后用无水乙醇反复洗净多晶硅片，氮气保护。