[发明专利]一种四结砷化镓太阳电池的标准子电池制备方法有效

专利信息
申请号: 202010356110.7 申请日: 2020-04-29
公开(公告)号: CN111430482B 公开(公告)日: 2022-08-02
发明(设计)人: 薛超;孙强;刘如斌;张启明;张恒 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十八研究所
主分类号: H01L31/0304 分类号: H01L31/0304;H01L31/0725;H01L31/0735;H01L31/18
代理公司: 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 代理人: 蒙建军
地址: 300384 天津市滨海*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种四结砷化镓太阳电池的标准子电池制备方法,属于太阳电池技术领域,其特征在于:包括:S1、采用金属有机化学气相沉积技术正向生长四结砷化镓太阳电池,在锗衬底上依次生长0.67eV的Ge电池、1.1eV的InGaAs电池、1.5eV的AlGaAs电池、1.95eVAlGaInP电池;S2、以四结砷化镓太阳电池整体为基础,制备0.67eV的Ge标准子电池;S3、以四结砷化镓太阳电池整体为基础,制备1.1eVInGaAs标准子电池;S4、以四结砷化镓太阳电池整体为基础,制备1.5eV的AlGaAs标准子电池;S5、以四结砷化镓太阳电池整体为基础,制备1.95eVAlGaInP标准子电池。
搜索关键词: 一种 四结砷化镓 太阳电池 标准 电池 制备 方法
【主权项】:
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