[发明专利]一种四结砷化镓太阳电池的标准子电池制备方法有效
申请号: | 202010356110.7 | 申请日: | 2020-04-29 |
公开(公告)号: | CN111430482B | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 薛超;孙强;刘如斌;张启明;张恒 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
主分类号: | H01L31/0304 | 分类号: | H01L31/0304;H01L31/0725;H01L31/0735;H01L31/18 |
代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人: | 蒙建军 |
地址: | 300384 天津市滨海*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种四结砷化镓太阳电池的标准子电池制备方法,属于太阳电池技术领域,其特征在于:包括:S1、采用金属有机化学气相沉积技术正向生长四结砷化镓太阳电池,在锗衬底上依次生长0.67eV的Ge电池、1.1eV的InGaAs电池、1.5eV的AlGaAs电池、1.95eVAlGaInP电池;S2、以四结砷化镓太阳电池整体为基础,制备0.67eV的Ge标准子电池;S3、以四结砷化镓太阳电池整体为基础,制备1.1eVInGaAs标准子电池;S4、以四结砷化镓太阳电池整体为基础,制备1.5eV的AlGaAs标准子电池;S5、以四结砷化镓太阳电池整体为基础,制备1.95eVAlGaInP标准子电池。 | ||
搜索关键词: | 一种 四结砷化镓 太阳电池 标准 电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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