[发明专利]倒装发光二极管芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202010357603.2 | 申请日： | 2020-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111653654A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 赵进超;沈丹萍;李超;马新刚;李东昇 | 申请（专利权）人： | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/20;H01L33/14;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;杨思雨 |
| 地址： | 361012 福建省厦门市中国(福建)自由贸易试*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 公开了一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，包括：衬底；N型半导体层，位于衬底上；有源层，位于N型半导体层上；P型半导体层，位于有源层上；电流扩展层，位于P型半导体层上；以及第一绝缘层、P电极、N电极，其中，第一绝缘层部分位于电流扩展层上，部分穿过电流扩展层、P型半导体层以及有源层，与N型半导体层接触；第一绝缘层具有第一通孔与第二通孔，第一通孔位于电流扩展层上，电流扩展层通过第一通孔与P电极连接，第二通孔位于部分第一绝缘层中，N型半导体层通过第二通孔与N电极连接。本公开的目的在于提供一种具有阵列式电极结构的倒装发光二极管芯片，从而提高倒装发光二极管芯片的发光面积，有效提升倒装发光二极管的光效。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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