[发明专利]一种基于桶式外延炉的硅衬底外延层生长方法有效
| 申请号： | 202010357763.7 | 申请日： | 2020-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111519245B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 任永宁;葛洪磊;刘依思;陈宝忠;刘如征;张雁斌;柏伟东;白帅;任恬 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B25/02;C30B25/16;C30B25/18;C30B29/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李晓晓 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于桶式外延炉的硅衬底外延层生长方法，首先将硅衬底放入桶式外延炉内进行初始定位后在硅衬底表面进行外延生长形成第一层外延层，第一层外延层厚度小于设定外延层总厚度；然后将形成第一层外延层的硅衬底相对初始位置转动，进行外延生长至设定外延层总厚度，采用两步生长过程，先进行第一层外延层生长，形成的第一层外延层覆盖了衬底，在进行二次生长时，硅衬底正面及侧面边缘杂质的蒸发被第一层外延层抑制；硅衬底背面采用多晶及氧化层进行背封，背面杂质的蒸发也被有效抑制，再次生长完成外延层生长，能够有效抑制外延自掺杂效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 外延 衬底 生长 方法 | ||
【主权项】：
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