[发明专利]碳化硅晶体的生长装置及其制备方法有效
| 申请号： | 202010357948.8 | 申请日： | 2020-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111455457B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 徐良;杨新鹏;蓝文安;刘建哲;余雅俊;夏建白;李京波;郭炜;叶继春 | 申请（专利权）人： | 金华博蓝特电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 321000 浙江省金华市婺城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅晶体的生长装置及其制备方法，其中生长装置包括坩埚、安装有籽晶的籽晶座、石墨过滤板、搅拌装置、顶部加热器和底部加热器，籽晶座、石墨过滤板和搅拌装置均位于坩埚内，其中籽晶座固定于坩埚的顶部，且籽晶向下设置，石墨过滤板位于坩埚的中间位置，并将坩埚分为上半部和下半部，搅拌装置位于下半部，顶部加热器和底部加热器均设置于坩埚外；制备方法包括利用该生长装置进行碳化硅晶体生长的步骤。本发明的生长装置及其制备方法制备的碳化硅杂质少、纯度高、不存在包裹物缺陷，且原料利用率高，节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶体 生长 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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