[发明专利]红外探测器及其制备方法有效
申请号: | 202010358791.0 | 申请日: | 2020-04-29 |
公开(公告)号: | CN111584659B | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 杨为家;何畏;林士修;吴质朴 | 申请(专利权)人: | 深圳市奥伦德元器件有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/109;H01L31/18;H03K17/78 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 孙浩 |
地址: | 518100 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种红外探测器及其制备方法,其中,红外探测器包括:金属电极,以及自下而上依次设置的衬底、砷化镓基层和石墨烯层;衬底上设置有与砷化镓基层相平行的长条阵列式凹槽,砷化镓基层设置于长条阵列式凹槽上,砷化镓基层表面具有砷化铟量子点,金属电极设置在所述砷化镓基层两端。本发明中,通过在砷化镓基层表面设置砷化铟量子点,同时能够使得砷化镓基层相对该长条阵列式凹槽进行横向生长,从而可提高砷化镓基层的光响应能力,缩短红外探测器的响应时间,通过石墨烯层、砷化镓基层以及金属电极之间的配合,能够提高对于光生载流子的提取效率,提升红外探测器的灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 红外探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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