[发明专利]带静电自保护的MOS管结构在审
| 申请号： | 202010359958.5 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111446240A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 苏庆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种带静电自保护的MOS管结构，通过场氧隔离沟槽将源区有源区或者漏区有源区划分为彼此错开互相咬合的特定形状，将从栅极到源区接触孔或者从栅极到漏区有源区接触孔的路径走向从传统的直线改为曲线走向，实现在较小的源区有源区和漏区有源区面积下增加从栅极到源区有源区接触孔以及漏区有源区接触孔之间的有效路径，或者是在相同的从栅极到源区有源区接触孔以及从栅极到漏区有源区之间的有效路径下减小漏区有源区、源区有源区的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 保护 mos 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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