[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010360169.3 | 申请日： | 2016-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN111524863A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 石堂仁则;玉川道昭;岩崎俊宽 | 申请（专利权）人： | 株式会社吉帝伟士 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/60;H01L21/56;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 何尤玉;郭仁建 |
| 地址： | 日本大分*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供一种半导体器件，其中绝缘材料层不包含诸如玻璃布或无纺布的增强纤维，并且所述半导体器件使得金属薄膜布线层能够小型化，能够减小金属过孔的直径并且减小层间厚度。所述半导体器件包括绝缘材料层和翘曲调整层，所述绝缘材料层包括使用不包含增强纤维的绝缘材料密封的一个或多个半导体元件、多个金属薄膜布线层、以及将所述金属薄膜布线层电连接在一起并且将所述半导体元件的电极与所述金属薄膜布线层电连接在一起的金属过孔，所述翘曲调整层被设置在所述绝缘材料层的一个主表面上以抵消所述绝缘材料层的翘曲而减小所述半导体器件的翘曲。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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