[发明专利]一种具有沟槽的深腔焊劈刀刀尖及其工作面的加工方法在审
申请号: | 202010360657.4 | 申请日: | 2020-04-30 |
公开(公告)号: | CN111681967A | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 徐波;杨强 | 申请(专利权)人: | 成都精蓉创科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/607 | 分类号: | H01L21/607;B81C1/00 |
代理公司: | 成都环泰专利代理事务所(特殊普通合伙) 51242 | 代理人: | 李斌;李辉 |
地址: | 610000 四川省成都市武*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有沟槽的深腔焊劈刀刀尖,该劈刀刀尖的工作面上设有截面呈半圆形的沟槽,所述沟槽的长度等于劈刀刀尖的工作面的宽度,所述沟槽的半径为0.005mm~0.04mm,所述沟槽的内壁表面为粗糙面。本发明还提供了上述深腔焊劈刀刀尖工作面的加工方法,采用高精度电火花、皮秒激光或飞秒激光于劈刀刀尖的工作面上沿其宽度方向加工沟槽;采用微细电火花放电加工沟槽内壁表面的粗糙度。本发明具有利于劈刀的超声能量耦合,金丝焊点的形成及焊点形态良好,能够满足高精度的半导体封装要求的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 沟槽 深腔焊 劈刀 刀尖 及其 工作面 加工 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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