[发明专利]一种无解理面晶片端面抛光方法有效
| 申请号： | 202010360862.0 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111546136B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 王金翠;朱厚彬;胡卉;张秀全;李真宇 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;H01L21/304;H01L21/463 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种无解理面晶片端面抛光方法，所述方法采用两步研磨结合两步抛光的方法对无解理面晶片的端面进行抛光，其中，两步研磨包括粗研磨和细研磨，两步研磨均使用砂纸作为磨料，即，本申请提供的方法能够控制研磨方向和研磨程度，避免研磨颗粒嵌入待研磨端面或者对待研磨端面造成划伤，并且，本申请在细抛光步骤前设置粗抛光步骤从而形成两步抛光，能够提高抛光效率，使细抛光的时间能够缩短33％甚至50％以上，提高抛光效率，并且，所得无解理面晶片端面的粗糙度小于3nm，能够满足后续使用的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 解理 晶片 端面 抛光 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于济南晶正电子科技有限公司，未经济南晶正电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010360862.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种稀土复合高温纳米陶瓷涂层的制造方法
- 下一篇：一种十字镜及光学仪器
