[发明专利]半导体元件在审
| 申请号： | 202010361218.5 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111952421A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 陈孟扬;林员梃 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件，其包括活性结构及第一半导体层。活性结构包含活性区及具有第一导电型的第一掺质。活性区具有一最上表面及一最下表面。第一掺质分布于最上表面至最下表面。第一半导体层位于活性结构下且包含具有第二导电型的第二掺质。活性区包含一四元半导体材料。四元半导体材料包含砷(As)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
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