[发明专利]一种高质量碳化硅单晶的制备方法及其装置有效
| 申请号： | 202010361772.3 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111472044B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 刘星;刘圆圆;周敏;黄治成;姜兴刚 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 王宽 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高质量碳化硅单晶的制备方法及其装置，该方法包括以下步骤:(1)组装阶段；(2)第一长晶阶段：控制第一通孔和第二通孔处于位错状态，使得第一坩埚内原料气相传输至籽晶进行长晶；(3)第二长晶阶段：当第一坩埚内气相成分中的硅碳比小于1.1时，控制第一通孔和第二通孔处于至少部分重合状态，使得第二坩埚内原料通过第一通孔和第二通孔气相传输至籽晶进行长晶。本发明通过控制第二坩埚中的原料通过第一通孔和第二通孔向籽晶方向输送，由于长晶阶段第二坩埚内的气相成分为富硅气氛，可以弥补第一坩埚内气相成分中的硅气氛不足的缺陷，可以很好的解决硅碳比失衡问题，避免晶体生长过程中微管、包裹体等缺陷的出现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 碳化硅 制备 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
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