[发明专利]RFLDMOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010363310.5 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111370493A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 遇寒;黄景丰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/60;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种RFLDMOS器件及其制造方法，涉及半导体制造领域。该RFLDMOS器件至少包括衬底、外延层、漂移区和体区；漂移区内设置有RFLDMOS的漏区，体区内设置有重掺杂区和源区；外延层表面设置有栅极结构；体区、漂移区和栅极结构顶部覆盖有介质层；法拉第屏蔽罩结构覆盖介质层，且法拉第屏蔽罩结构位于多晶硅栅靠近漏区的部分的上方和漂移区靠近多晶硅栅的部分的上方；法拉第屏蔽罩结构由堆叠的钛金属层、氮化钛层和钨金属层组成；贯穿体区和外延层，且底部位于衬底中的下沉通孔；解决了高频下现有的法拉第屏蔽罩结构易引起非线性的问题；达到了提升高频下RFLDMOS器件的宽带性能的效果。 | ||
| 搜索关键词： | rfldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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